---性高,体积小,充放电---,电压---150kv,放电电流大,静电除尘高压陶瓷电容器厂,介质损耗<0.1%。
电容器之独石电容多层陶瓷电容器的别称, 简称mlcc,广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
因此,多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质,金属内电极,金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构,简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。
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从上世纪80年代的彩电国产化开始,到今天家电的普及,我国的电容器产业得到了飞速的发展,在数量、、服务等方面充分满足了各类电子整机发展的需求,并带动了相关的材料行业、设备行业、仪器仪表行业的发展。目前,我国已成为全球电容器生产大国和消费大国,产量位居全球---,销售额位居全球第二。
我国电子信息产业已成为工业部门中增长速度快、产业规模较大、外贸出口较多、效益位居---的重要支柱产业。在产品销售收入、工业增加值、利税总额、进出口总额等方面,电子元件以约12%的比例同步增长,这为电容器行业的发展提供了一个坚实的基础。
前瞻产业研究院<电容器行业产销需求与投资预测分析报告>显示,我国的信息产业已具备了向更高层次发展的基础。随着电子信息技术进一步向社会和经济领域的全1面渗透和越来越多的电子技术在走融合的道路,电子信息产品发展必然越来越快,市场进一步扩大,产品沿着一条从满足一般需求到人性化需求,再到个性化要求的道路发展。
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开关频率---的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器(如epcosb32620-j或b32651..56)通过吸收电压脉冲---了峰值电压,从而对半导体器件起到了保护作用,使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的dv/dt值,因此,对于这种应用而言,薄膜电容器是恰当之选。
在额定电压值---2000vdc的条件下,典型的电容额定值在470pf~47nf之间。对于大功率的半导体器件,如igbt,电容值可---2.2μf,电压在1200vdc的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时,还应考虑所需的dv/dt值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此,应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。
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