精度能达到0.5级，局放＜5pc@14.4kv，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kvac，1.2/50μs，正负极性各 15 次。
薄膜电容器的优点：薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能---的电容器。它的主要等性如下:无极性，绝缘阻抗---，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。基于以上的优点，所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部分，必须使用频率特性---，介质损失极低的电容器，方能---信号在传送时，互感器电容器报价，不致有太大的失真情形发生。在所有的塑料薄膜电容当中，又以聚丙1烯(pp)电容和聚ben乙烯(ps)电容的特性为---，当然这两种电容器的价格也比较高。然而音响器材为了提升声音的品质，所采用的零件材料已愈来愈高1级，价格并非重要的考量因素，所以pp电容和ps电容被使用在音响器材的频率与数量也愈来愈高。
薄膜电容器的制法：通常的薄膜电容器其制法是将铝等金属箔当成电极和塑料薄膜重叠后卷绕在一起制成。但是另外薄膜电容器又有一种制造法，叫做金属化薄膜(metallized film)，其制法是在塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极。如此可以省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，所以薄膜电容器较容易做成小型，容量大的电容器。
精度能达到0.5级，局放＜5pc@14.4kv，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kvac，互感器电容器厂，1.2/50μs，正负极性各 15 次
电子式无触点可控硅投切电容器装置（tsc）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，互感器电容器，通常15kvar三角形接法的电容器，额定电流22a，则一个可控硅消耗功率约为22w。如以一个150kvar电容柜来算，互感器电容器厂家，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600w，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用---、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右
精度能达到0.5级，局放＜5pc@14.4kv，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kvac，1.2/50μs，正负极性各 15 次。
原始的电容器是1745年荷兰莱顿大学p.穆森布罗克发明的莱顿瓶，它是玻璃电容器的雏形。
1874年德国m.鲍尔发明云母电容器。1876年英国d.斐茨杰拉德发明纸介电容器。
1900年意大利l.隆巴迪发明瓷介电容器。
30年代人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数---增长，因而制造出较便宜的瓷介电容器。
1921年出现液体铝电解电容器。
1938年前后改进为由多孔纸浸渍电糊的干式铝电解电容器。
1949年出现液体烧结钽电解电容器。
1956年制成固体烧结钽电解电容器。
50年代初，晶体管发明后，元件向小型化方向发展。随着混合集成电路的发展，又出现了无引线的---型片状电容器和其他外贴电容器。
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